企业简介
东莞市天域半导体科技有限公司 main business:研发、生产、销售：碳化硅外延晶片，相关技术咨询、技术转让、技术服务；货物、技术进出口。(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)〓 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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东莞市天域半导体科技有限公司的工商信息
- 441900000464283
- 914419006844054388
- 存续
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2009-01-07
- 李锡光
- 3000万元人民币
- 2009-01-07 至 永久
- 东莞市工商行政管理局
- 东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼
- 研发、生产、销售：碳化硅外延晶片，相关技术咨询、技术转让、技术服务；货物、技术进出口。(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)〓
东莞市天域半导体科技有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 17133709 |  |
图形 | 2015-06-05 | 计算机网络上的在线广告；在通讯媒体上出租广告时间；为零售目的在通讯媒体上展示商品；广告版面设计；广告策划；通过网站提供商业信息；进出口代理；替他人推销；替他人采购（替其他企业购买商品或服务）；市场营销 | 查看详情 |
| 2 | 9562715 |  |
TYSTC | 2011-06-07 | 计算机；电话机；摄像机；晶片(锗片)；半导体；单晶硅；硅外延片；多晶硅；电子芯片 | 查看详情 |
| 3 | 9562655 |  |
图形 | 2011-06-07 | 半导体；单晶硅；电话机；电线；电子芯片；多晶硅；硅外延片；计算机；晶片(锗片)；摄像机 | 查看详情 |
| 4 | 17133179 |  |
TYSTC | 2015-06-05 | 计算机网络上的在线广告；在通讯媒体上出租广告时间；为零售目的在通讯媒体上展示商品；广告版面设计；广告策划；通过网站提供商业信息；进出口代理；替他人推销；替他人采购（替其他企业购买商品或服务）；市场营销 | 查看详情 |
| 5 | 17132960 |  |
TYSIC | 2015-06-05 | 替他人推销；广告策划；计算机网络上的在线广告；在通讯媒体上出租广告时间；广告版面设计；为零售目的在通讯媒体上展示商品；通过网站提供商业信息；进出口代理；替他人采购（替其他企业购买商品或服务）；市场营销 | 查看详情 |
| 6 | 17133514 |  |
天域 | 2015-06-05 | 计算机网络上的在线广告；为零售目的在通讯媒体上展示商品；广告版面设计；广告策划；在通讯媒体上出租广告时间；通过网站提供商业信息；进出口代理；替他人推销；市场营销；替他人采购（替其他企业购买商品或服务） | 查看详情 |
| 7 | 17132679 |  |
TYSIC | 2015-06-05 | 计算机；电话机；摄像机；电线；半导体；集成电路用晶片；单晶硅；硅外延片；多晶硅；电子芯片 | 查看详情 |
东莞市天域半导体科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106498370A | 一种真空室用高温CVD加热线圈结构 | 2017.03.15 | 本发明公开一种真空室用高温CVD加热线圈结构，其包括：具有密闭腔室的不锈钢壳体，不锈钢壳体中设有水冷 |
| 2 | CN106435719A | 一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构 | 2017.02.22 | 本发明公开一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其包括：主转动盘，该主转动盘上开设有若干托盘槽；若 |
| 3 | CN103628140B | 一种超高温双层水冷石英管真空室用双密封结构 | 2016.08.17 | 本发明公开一种该超高温双层水冷石英管真空室用双密封结构，其包括有一双层石英管嵌套结构及嵌套于其两端的 |
| 4 | CN102747418B | 一种高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法 | 2015.12.16 | 本发明公开了一种高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法。该装置包括：不锈钢制作的密闭工作室、位于工作 |
| 5 | CN102691109B | 一种垂直式碳化硅高温氧化装置 | 2015.05.20 | 本发明公开一种垂直式碳化硅高温氧化装置，其包括：双层石英管嵌套结构，其包括外层石英管及镶嵌于外层石英 |
| 6 | CN102747425B | 一种水平式碳化硅高温氧化装置 | 2015.01.21 | 本发明公开一种水平式碳化硅高温氧化装置，其包括：水平设置的双层石英管嵌套结构，其包括：一水平放置的外 |
| 7 | CN104167351A | 一种SiC外延片的化学机械清洗方法及专用工具 | 2014.11.26 | 本发明涉及一种SiC外延片的化学机械清洗方法以及该方法中的专用工具，该清洗方法包括：先将SiC外延晶 |
| 8 | CN203938749U | 一种碳化硅外延炉的清理装置 | 2014.11.12 | 本实用新型公开了一种碳化硅外延炉的清理装置，其包括一采用碳化硅材料制作的清理触头；一手柄，于手柄中设 |
| 9 | CN203583011U | 一种超高温双层水冷石英管真空室用双密封结构 | 2014.05.07 | 本实用新型公开一种该超高温双层水冷石英管真空室用双密封结构，其包括有一双层石英管嵌套结构及嵌套于其两 |
| 10 | CN103628140A | 一种超高温双层水冷石英管真空室用双密封结构 | 2014.03.12 | 发明公开一种超高温双层水冷石英管真空室用双密封结构，其包括有一双层石英管嵌套结构及嵌套于其两端的不锈 |
| 11 | CN203013731U | 一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件 | 2013.06.19 | 本实用新型公开了一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件。该器件包括：碳化硅、在碳化硅表面沉积的欧姆接触层 |
| 12 | CN202888167U | 一种碳化硅电力电子器件 | 2013.04.17 | 本实用新型公开一种碳化硅电力电子器件，旨在提高供一种结构简单、精密程度高，且生产成本低廉的碳化硅电力 |
| 13 | CN202671720U | 一种水平式碳化硅高温氧化装置 | 2013.01.16 | 本实用新型公开一种水平式碳化硅高温氧化装置，其包括：水平设置的双层石英管嵌套结构，其包括：一水平放置 |
| 14 | CN202671719U | 一种垂直式碳化硅高温氧化装置 | 2013.01.16 | 本实用新型公开一种垂直式碳化硅高温氧化装置，其包括：双层石英管嵌套结构，其包括外层石英管及镶嵌于外层 |
| 15 | CN202610320U | 高温CVD生长室用高度微调节装置 | 2012.12.19 | 本实用新型公开一种高温CVD生长室用高度微调节装置，包括有耐高温支撑柱、生长室底盘、高度调节盘、高度 |
| 16 | CN102832238A | 一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件及其制作方法 | 2012.12.19 | 本发明公开了一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件及其制作方法。该器件包括：碳化硅、在碳化硅表面沉积的欧 |
| 17 | CN102832108A | 一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法 | 2012.12.19 | 本发明公开一种在碳化硅电力电子器件制造中实现亚微米级工艺线宽的方法，该方法包括以下步骤：a、取一碳化 |
| 18 | CN102747425A | 一种水平式碳化硅高温氧化装置 | 2012.10.24 | 本发明公开一种水平式碳化硅高温氧化装置，其包括：水平设置的双层石英管嵌套结构，其包括：一水平放置的外 |
| 19 | CN102747418A | 一种高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法 | 2012.10.24 | 本发明公开了一种高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法。该装置包括：不锈钢制作的密闭工作室、位于工作 |
| 20 | CN102691109A | 一种垂直式碳化硅高温氧化装置 | 2012.09.26 | 本发明公开一种垂直式碳化硅高温氧化装置，其包括：双层石英管嵌套结构，其包括外层石英管及镶嵌于外层石英 |
| 21 | CN102154690B | 行星式外延生长设备中托盘的构成方法和装置 | 2012.05.30 | 一种行星式外延生长设备中托盘的构成方法和装置，包括制备两只以上的带有外齿圈的基片盒组件；一只外围固定 |
| 22 | CN202090100U | 一种行星式外延生长设备中的托盘装置 | 2011.12.28 | 一种行星式外延生长设备中的托盘装置，包括制备两只以上的带有外齿圈的基片盒组件；一只外围固定环和一只外 |
| 23 | CN202039157U | 一种钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置 | 2011.11.16 | 本实用新型涉及一种钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置，包括支架、升降架、石墨托盘、石英钟罩、隔热板、 |
| 24 | CN202039158U | 一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构 | 2011.11.16 | 本实用新型涉及一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构，包括石墨管、石英管、上层托盘及下层托盘， |
| 25 | CN102154690A | 行星式外延生长设备中托盘的构成方法和装置 | 2011.08.17 | 一种行星式外延生长设备中托盘的构成方法和装置，包括制备两只以上的带有外齿圈的基片盒组件；一只外围固定 |
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